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Global Power Technology-GPT G3S12006B
| Artikelnummer: | G3S12006B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | SemiQ |
| Teil der Beschreibung.: | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Global Power Technology-GPT G3S12006B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments G3S12006B.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 3 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-247AB Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Paket Cut Tape (CT) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 1200 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 14A (DC) -
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